标签芯片参数指标解读
关于标签芯片，我们需要关注的参数和指标有哪些呢，或者说在我们项目中芯片选型时如何选择合适的芯片呢？本节内容将通过Ucode 7这款芯片展开讲解。
1.存储区
选择一颗超高频RFID标签芯片，首先要看其存储区的配置，如表3-5所示U Code7芯片存储区配置表，该芯片只有Bank 0、Bank 1和Bank2，没有Bank 3 用户区，也就是说这个芯片具有64比特保留区，128比特EPC（不包含CRC和PC），96比特的TID，0比特的用户区，另外多了16比特的配置字（ConfigurationWord）放在EPC区。
现阶段主流芯片的保留区和TID区的大小都是固定的，分别是64比特和96比特。EPC的长度一般是128比特固定，关于配置字放在哪里不重要，不影响整体使用。
从项目角度分析，由于不具有用户区，只能支持在线读取的项目，如果客户提出离线应用和大量的数据保存则不能选择这款芯片。另外由于EPC长度定死，则如果客户需要定制不同长度的EPC，如需要快速读取64比特EPC或使用加长编码的256比特EPC，该芯片都无法满足。所以该芯片的定位为海量服装物流应用。
2.物理参数
其次要关注的是标签芯片的物理参数，如表3-6所示，该芯片的保存温度（Tstgstorage temperature）为-55摄氏度到125摄氏度；工作环境温度（Tambambient temperature）为-40摄氏度到85摄氏度；最大释放静电电压（VESD electrostatic discharge voltage）为2kV；其射频输入最大功率为100mW。
其实芯片可以在环境温度限制外的更低温度和更高温度工作，只是灵敏度变化比较大，厂商不作保证。关于其存储温度，笔者也做过大量测试，在接近200°的高温箱中持续两周后，数据的保存是没有任何问题的（但不保证是否影响后续多年的保存寿命）。现在市场上的主流芯片笔者都做过测试，测试结果都与Ucode 7类似，所以大家在做项目的时候可以做一些超过说明限制的开拓项目。
主流标签芯片的ESD都是2KV。有一些项目需要标签的静电防护等级很高，那是针对标签的，只需要把标签用各种绝缘体材料与外界隔离开即可满足要求。一些电力应用中需要超高的ESD等级，需要采用更厚的绝缘材料，以及采用闭合环的天线设计才能满足。
关于芯片RF脚最大输入功率，如果不是直接连阅读器一般不会有超过100mW的可能性，传统的标签应用大可放心。但如果使用的是封装芯片（SOT、QFN）与阅读器直连工作，需要注意这个问题。
3.性能参数
与标签芯片性能相关的参数是工作频率、灵敏度及其阻抗等，如表3-7所示：
芯片的工作频率为840MHz到960MHz，适合全球所有频段的超高频RFID应用；
其读灵敏度为-21dBm，这里要注意该灵敏度为配合2dBi的天线的标签灵敏度，也就是说芯片的读灵敏度为-19dBm，写灵敏度同理需要减去2dB，为-14dBm；
写入速度（Encodingspeed），是描述标签写入快慢的一个参数；
芯片的阻抗值是给天线设计人员使用的，其给出了在欧洲、美洲和日本的三个中心频率的阻抗值，同时给出了芯片封装后的阻抗值（Typical assembled impedance）从而更方便设计人员使用。
其中需要注意的有：
虽然芯片的工作频率是840MHz~960MHz全频段，但是其灵敏度并不是在所有频率点都一样好的，不同的芯片有一定的差别，读者在设计宽带标签的时候需要特别注意。
关于灵敏度，一般芯片灵敏度在-18dBm左右即可，当然灵敏度越小越好。
关于写入速度，在需要写入的项目里面是一个很重要的指标（多数项目只做初始化时写入一次），Ucode 7的写入速度在同类型产品中速度是最快的。如果需要更快的写入速度，只能选择富士通的铁电标签（4.3.3节中厂商代码10的那家公司）。其写入速度为纳秒级别，坏处是读写灵敏度都比较差。
4.存储参数
最后要考虑的参数是存储器的特性，如表3-8所示：该芯片数据保存时间tret（retentiontime）在环境温度小于55摄氏度的情况下可以达到20年，其存储器的重复写入次数Nendu（write endurance）为10万次。
市场上的标签芯片，一般都声称数据保存时间大于10年，有的声称20年，有的50年，至今没有一个厂商的产品在真实环境验证过（市场上与超高频RFID相关NVM和EEPROM都是在最近十多年发明的）。除非项目要求存储100年，一般存储要求的项目就放心大胆的接吧。关于写入次数，一般的芯片厂商声称重复写入次数在10万次到100万之间，由于超高频RFID特性不在于加密和支付，所以至今未见一个项目要求写入次数大于10万次的，对此也不用担心。
